日本 DNP 开发 1.4nm 级 NIL 纳米压印图案化模板，目标 2027 年量产

DNP在NIL图案化技术路线上已有超20年的研发历史，最新一代模板产品集成了光掩模和晶圆制造两部分的工艺技术专业知识，采用SADP（自对准双重图案化）“套刻”方案，通过在初步图案的基础上薄膜沉积和蚀刻使线条密度加倍。DNP表示其最新的NIL技术能耗仅有光刻机曝光工艺的1/10。该企业目前正与半导体制造商客户进行更深入的交流，计划于2027年开始批量生产。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。